Подарите скидку 10%
Посоветуйте эту книгу и получите 11,51 ₽ с покупки её другом.
0+
текстPDF
Объем 79 страниц
Анализ процессов в полупроводниковых устройствах. Часть 5
текстPDF
115 ₽
О книге
В четвертой части учебного пособия подробно изложена физика процессов, происходящих в полевых транзисторах с барьером Шоттки на арсениде галлия, наиболее быстродействующих и широко применяемых в СВЧ-диапазоне. Рассмотрена электрофизическая модель на данный тип транзисторов и приведены практические результаты, доказывающие правомерность такой модели. Данная часть пособия полезна студентам, специализирующимся в проектировании быстродействующих электронных средств по твердотельной технологии.
Жанры и теги
Оставьте отзыв
Войдите, чтобы оценить книгу и оставить отзыв
Книга Юрия Ракова, Вячеслава Данилова «Анализ процессов в полупроводниковых устройствах. Часть 5» — читать онлайн на сайте. Оставляйте комментарии и отзывы, голосуйте за понравившиеся.
Возрастное ограничение:
0+Дата выхода на Литрес:
24 апреля 2018Объем:
79 стр. ISBN:
978-5-7782-1618-1Общий размер:
2.2 МБОбщее кол-во страниц:
79Правообладатель:
Новосибирский государственный технический университет
