Подарите скидку 10%
Посоветуйте эту книгу и получите 22,41 ₽ с покупки её другом.
0+
текстPDF
Объем 48 страниц
2001 год
Физические процессы в полупроводниках при облучении быстрыми частицами. Теория и расчет
текстPDF
224 ₽
О книге
С позиций радиационной технологии микроэлектроники процесс смещения атомов из узлов кристаллической решетки наиболее интересен, поскольку именно он в первую очередь определяет концентрацию и свойства вторичных радиационных дефектов – радиационных центров (РЦ), образующихся в результате последующего взаимодействия компонент пар Френкеля с имеющимися до облучения точечными дефектами. Стабильные во времени и по температуре РЦ действуют в полупроводнике подобно донорам, акцепторам или рекомбинационным примесям, что позволяет управлять основными электрофизическими и даже геометрическими характеристиками активных областей неоднородной структуры и изменять в широком диапазоне параметры ППП или ИС в конце цикла их изготовления
Жанры и теги
Оставьте отзыв
Войдите, чтобы оценить книгу и оставить отзыв
Книга В. Н. Мурашева, Евгения Ладыгина и др. «Физические процессы в полупроводниках при облучении быстрыми частицами. Теория и расчет» — читать онлайн на сайте. Оставляйте комментарии и отзывы, голосуйте за понравившиеся.
Возрастное ограничение:
0+Дата выхода на Литрес:
28 марта 2018Дата написания:
2001Объем:
48 стр. Общий размер:
502 КБОбщее кол-во страниц:
48Правообладатель:
МИСиС
